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英飞凌MOSFET 常见问答FAQ汇总

英飞凌MOSFET 常见问答FAQ汇总

Quanqiu
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楼主总结了网友们针对英飞凌MOSFET产品提出的常见问题和答案,欢迎大家围观~~

当然,如果你还有自己独特的问题,可以去本网站【英才施教】版块,不少业界大牛正等着接单~

如果你正是这枚大牛,快去接单吧,得积分奖赏,换礼品,换开发板~~~吼吼

有不同答案的,欢迎来喷~~~~~~~!


MOSFET 常见问题

  1. Q:MOSFET损耗计算
     在本网站有一篇《48V逆变器半导体解决方案》,列出了几个损耗计算核心公式,其中的几个参数很模糊,不知道具体指的是什么?以下是这个文档的链接
    https://www.infineon-autoeco.com/Public/GetDocFile/1/73
     A:这个文档写的比较简单,是配合讲解来的,里面的参数都来自于这个英文的文档:http://application-notes.digchip.com/070/70-41484.pdf  。其中Ma是逆变器的幅度调制指数,其余几个要看图形才好理解,这个英文的文件中都有详解。
          在这里,Io是指输出电流峰值 Io=1.414*Iorms,ma是调制度,Drr是反向恢复参数,Idon,Idoff是开通和关断MOSFET时候的电流。这个文档只是一个纲领性质的介绍,细节建议百度相关的论文。基于MOSFET Inverter的损耗计算还是很多的,方法可能有一定差异,但是殊途同归。

  2. Q:并联使用MOS存在一些问题,那我们要怎样做才能避免这些问题?最主要是关注哪些注意事项?
    A:首先,器件的一致性一定要好。在功率MOSFET多管并联时,器件内部参数的微小差异就会引起并联各支路电流的不平衡而导致单管过流损坏,严重情况下会破坏整个逆变装置。影响并联均流的因素包括内部参数。
          其次是设计。器件不好,什么都没用;设计不好,后续运用工作就会有问题。这是个综合因素,从质量到设计都要掌握好。目前这条路没有问题,完全可以走得通。如果把设备和工艺做得更好,应该成本会更高了。
         第三是功率。即使电路设计得再好,理论再先进,如果功率高于25%,那么这个产品就失败了。至于要怎样把功率压到15%以内,就需要不断地实验了。

  3. Q:IPB107N20N3 G 与 IPB107N20NA 这两个型号有什么区别?
    A:IPB107N20N3 G 合格标准是 JEDEC,即固态技术协会,是微电子产业的领导标准机构的相关认证。而IPB107N20NA 合格标准是AEC Q101,这个是汽车行业的相关认证。

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