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视频课程:角度传感器和3D磁性传感器技术原理和项目分享

视频课程:角度传感器和3D磁性传感器技术原理和项目分享

crystal_rao
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今天为大家推荐视频课程:英飞凌在工业应用领域的角度传感器和3D磁性传感器。


该视频由英飞凌传感器资深工程师陈雁主讲,综述了磁性传感器的各种技术原理和产品类型,同时,英飞凌代理商富昌电子也随之介绍了基于英飞凌传感器的工业电驱方案。


从技术的角度,英飞凌把角度传感器和3D磁性传感器都归类为“磁传感器”,即通过磁场来进行感应的传感器。英飞凌在磁传感器方面的技术包括“霍尔效应、AMR、GMR、TMR”。


- 霍尔效应(Hall):当电流垂直于外磁场通过半导体时,载流子发生偏转,垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场,从而在半导体的两端产生电势差,这一现象被称为霍尔效应,是目前应用最为广泛的一种效应,本身具有“大磁场范围、无磁滞”等特点。

- 各向异性磁阻效应(AMR):基于薄膜效应所产生。在薄膜中,如果磁场方向和电流方向的夹角发生变化,那么材料的电阻率也会发生变化。由于其角度参考的是电流方向,而大磁场并不会对电流方向产生影响,所以AMR可应用在非常大的磁场范围。不过,该原理的磁阻变化率和夹角的COSIN平方成正比,因此决定了AMR只适用于180度的角度范围。与霍尔效应相比,AMR的灵敏度要高得多。

- 巨磁阻效应(GMR):多层膜结构的材料,在GMR效应中,外部磁场和内部参考磁场方向之间夹角发生变化,会使材料本身电阻率发生变化。与AMR相比,灵敏度更高,并且可支持360度的角度范围。需要注意的是,在实际使用过程中,由于其参考方向是多层膜结构中预置的磁场,受到矫顽力等因素的限制,传感器对外部最大磁场有一定的要求,如果超过特定的磁场范围,可能造成传感器损伤。

- 隧道磁阻效应(TMR):比GMR的灵敏度更高、磁阻变化率更大,温度稳定性更好,由此能实现更低的功耗。

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关于角度传感器,磁阻是如何得到角度信号呢?怎样通过磁传感器来实现角度测量呢?电机控制和角度传感器之间又有什么关系?永磁同步电机通常采用什么样的控制方式?

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和角度传感器相比,3D磁性传感器的工作原理有何不同,又有什么样的灵活应用呢?想要测量线性位置,磁铁在运动过程中,3D传感器感应到的XY方向发生了什么变化?



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工业电驱中,主要有哪些传感器,都起什么作用呢?


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收看视频,细品传感器的技术和应用美学~

https://videos.infineon-autoeco.com/pc/page/detail/1226

 

想要获得完整PPT材料,请点击:

1,英飞凌应用于电机控制的角度传感器

2,英飞凌3D传感器的各种灵活应用



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