(1)实现flash写操作,必须先擦除,后编程;
1、擦除操作,按照参考手册描述:第一步:clear status 第二步:擦除逻辑扇区,第三步:同步,第四步:等待标志位,是否擦除完成
现在情况是:
实际操作,执行第一步时,
// clear status register
//uvResult = clib_flash_clear_status(0);
IfxFlash_clearStatus(0);//清状态
while(1)//调试代码
{
g_debug_fbl.flash_ctr++;
}
用劳特巴赫观察全局变量:g_debug_fbl.flash_ctr变量一直没有变化,劳特巴赫一直显示running状态,怀疑进入了trap状态,单片机此时已经进入跑飞状态。
请大神帮忙解答,谢谢
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